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第六代1200V槽栅FS-IGBT???/h1>
日期:2022-05-20 06:53
浏览次数:1052
摘要:第六代1200V槽栅FS-IGBT???
摘要:近几年来,主要用于电能控制与变换的电力电子学迅速地扩展了它的应用领域。市场对于*新的电能变换系统的要求主要集中在:尺寸小、重量轻以及效率高。因此,就要求功率半导体技术要在获得更高性能、更先进功能以及更大功率处理能力等方面有所进步。
系统缩小尺寸的解决方案之一是使用igbt-pim(功率集成???,将倒相电路、动态?;さ缏芬约罢鞫芏技稍谕桓瞿?橹?。近几年来,*大额定电流低于100a的pim,由于尺寸小、易装配、更经济等优点,其市场需求不断增长。
下一代igbt??橛Φ本哂懈〕叽绾透玫奶卣?。实现高性能紧凑型igbt??榈墓丶际踉谟?,在处理好电与热性能的同时如何减小芯片面积。igbt芯片无疑是??橹?重要的部分,在设计过程中应当给予特别的重视,以体现出*高的价值。因为它们不但是??橹谐叽?大的部件,也是??橹形律?高的部分,所以需要做好散热措施。因此,对于制造高性能紧凑型???,重要的是同时改进芯片技术和封装工艺,也就是说,igbt应能承受更大的功耗,并且要使用lti(低热阻)封装。
新??楸匦刖哂械牧硪桓鎏卣魇堑驮肷?。igbt开关工作时的功耗分为“静态”功耗和“动态”功耗。静态功耗与通态压降(von)相关,与占空比也有一定的关系,但并不强烈地依赖于驱动条件。然而,包含开通与关断能量在内的动态功耗却与驱动条件显著相关。
性能的挑战
场终止结构可以显著地减小器件厚度,因此,器件性能得以大幅提高。然而,上世纪90年代早期发现的外延型igbt的关断振荡问题再次成为一个潜在的隐患。当器件变薄的同时,耗尽层更容易“穿通”到场中止层,这正是引起关断振荡的机理。因此,振荡的临界电压应当位于安全工作区之外。为了减薄器件的厚度,必须在振荡的临界电压与击穿电压之间权衡并做出突破。临界电压随着硅片电阻率的降低而增长,然而与此同时,击穿电压却降低。众所周知,续流二极管(fwd)的软反向恢复特性对于获得较低的开通dv/dt来讲很重要,但是却很少有发表的论文指出igbt开通特性的重要性。在20世纪普及的平面栅igbt有着简单的栅极结构,因此,很容易根据其物理尺寸推断出它的动态特性。然而,槽栅igbt的栅极结构和版图设计更加多变,为在低von和指定短路耐量之间取得平衡而采用的优化方法也更加复杂。
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